產(chǎn)品名稱:管狀壓電陶瓷元件
產(chǎn)品型號(hào):
產(chǎn)品特點(diǎn):哈爾濱芯明天科技有限公司提供高品質(zhì)單層壓電元件,在形狀及尺寸方面可廣泛選擇。我們可以生產(chǎn)很寬的尺寸范圍的管狀壓電陶瓷元件,外徑可生產(chǎn)5mm至140mm,以適合您的特殊應(yīng)用。
更新日期:2024-07-30
哈爾濱芯明天科技有限公司提供高品質(zhì)單層壓電元件,在形狀及尺寸方面可廣泛選擇。我們可以生產(chǎn)很寬的尺寸范圍的管狀壓電陶瓷元件,外徑可生產(chǎn)5mm至140mm,以適合您的特殊應(yīng)用。
芯明天單層壓電陶瓷(又常被稱作超聲陶瓷)內(nèi)部?jī)H含有一層壓電陶瓷層,且內(nèi)部無(wú)電極層,僅有外部表面的電極層,不像多層疊堆壓電陶瓷,內(nèi)部具有很多陶瓷層及電極層。在不破壞單層陶瓷對(duì)應(yīng)正、負(fù)電極情況下,可進(jìn)行切割使用。
管狀壓電陶瓷元件 芯明天單層壓電陶瓷電極
芯明天單層壓電陶瓷通常為絲網(wǎng)印刷銀電極,厚度約幾微米至幾十微米,也可定制鎳、金、鍍銀等電極。 單層壓電陶瓷片的標(biāo)準(zhǔn)電極為上下面,一面為正極、一面為負(fù)極;管狀單層陶瓷的標(biāo)準(zhǔn)電極為內(nèi)外壁電極,內(nèi)壁為正極、外壁為負(fù)極。 除
標(biāo)準(zhǔn)電極外,我們也可提供特殊電極,如電極延覆WAE(Wraped Around Electrode),可將正負(fù)電極引至同一側(cè),如下圖所示,為標(biāo)準(zhǔn)可選的WAE電極形式,一般從另一面延覆來(lái)的電極為負(fù)極,另一區(qū)域?yàn)檎龢O,如下圖標(biāo)記。
單層壓電陶瓷的諧振頻率
Tube管狀壓電陶瓷至少具有兩個(gè)諧振頻率,即軸向、徑向諧振頻率,它的徑向諧振頻率與外徑、壁厚等有關(guān)。
Tube管狀陶瓷軸向(即高度方向)的諧振頻率可通過以下公式進(jìn)行估算:
F=0.002*N/(OD–ID)
N:厚度方向頻率常數(shù), 取決于材料,詳見材料參數(shù)工作表,
OD:外徑[mm] , ID:內(nèi)徑[mm] , 此計(jì)算值為為估計(jì)值。
例如:N40 Tube OD39-ID32-TH13,計(jì)算得它的軸向諧振頻率約為550kHz。
將壓電陶瓷裝入設(shè)備中后,陶瓷的諧振頻率將降低,具體參數(shù)需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析。
單層壓電陶瓷的位移估算
利用逆壓電效應(yīng),即對(duì)壓電陶瓷施加電壓,壓電陶瓷受電場(chǎng)影響將產(chǎn)生形變位移。
1、位移的粗略估計(jì)
單層壓電陶瓷一般在耐壓值下的位移約為位移方向長(zhǎng)度的1‰,例如1mm厚陶瓷片,它的耐壓值為1000V,在1000V下,它產(chǎn)生的位移約為1μm。
2、片狀單層壓電陶瓷的位移估算:
其中:
U:施加電壓[V] , H:陶瓷高度[m] , E:電場(chǎng)強(qiáng)度[V/m] , d:壓電系數(shù)[m/V] , W:陶瓷寬度[m]
由以上公式可知:片狀單層壓電陶瓷的位移只與材料及所給電壓有關(guān),而對(duì)于同一種材料,不同高度的陶瓷片,只要施加相同電壓(切記:電壓不可超出所能承受的電壓),所產(chǎn)生的位移基本相同。
其他形狀也可根據(jù)此計(jì)算公式進(jìn)行估算位移情況。
3、單層陶瓷工作在諧振頻率點(diǎn)時(shí)產(chǎn)生的振動(dòng)幅度大。
作為傳感或發(fā)電時(shí),輸出電壓估算
單層壓電陶瓷作為傳感器時(shí)是利用它的正壓電效應(yīng),即通過施加外力使之產(chǎn)生形變,從而輸出電荷。
圓片輸出電壓理論估算公式:
g33:為材料常數(shù) , F:為力,單位 , H:為高度 , R:為圓片的半徑
例如: 圓片NCE41-Disc-OD20-TH5,NCE41材料系數(shù)為25.5*10-3,當(dāng)施加12500N力時(shí),理論估算所產(chǎn)生的電壓為5000V。 管狀單層壓電陶瓷的輸出電壓應(yīng)減去內(nèi)徑計(jì)算出的電壓值。
單層壓電陶瓷用來(lái)發(fā)電產(chǎn)生的功率,在諧振頻率下,可達(dá)<span margin:0px;padding:0px;"="" style="margin: 0px; padding: 0px;">3,芯明天單層壓電陶瓷在諧振頻率下產(chǎn)生功率材料為NCE81材料。
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